據(jù)外媒報道，IBM 正在擺脫傳統(tǒng)需要電容支持的 DRAM，轉(zhuǎn)而推進面向下一代閃存系統(tǒng)的磁阻存儲器（MRAM）技術(shù)。 AnandTech 指出，MRAM 是當(dāng)前市面上速度最快、耐用性最高的非易失性存儲器之一。只是與 NAND 閃存（甚至英特爾的 3D XPoint 存儲器）相比，其密度相對更加受限。好消息是， IBM 與格羅方德（Global Foundries）達成了合作，在后者 22nm FD-SOI 工藝基礎(chǔ)上制造 MRAM 。 正因如此，使得 MRAM 芯片供應(yīng)商 Everspin 將產(chǎn)能提升到了新的高度。

目前 Everspin 正在生產(chǎn) 256Mb 芯片，但有望在今年年底前開始 1Gb 芯片的出樣。

IBM 的 FlashSystem 設(shè)備，使用了類似 SSD 的定制外形、部署了系統(tǒng)級掉電防護功能、以及 FPGA 主控。

借助新系統(tǒng)，該公司還能將它轉(zhuǎn)變成標(biāo)準(zhǔn)的 2.5 英寸 U.2 驅(qū)動器。

但要為每個驅(qū)動器部署超級電容，來保持 FPGA 主控在掉電后有足夠長的時間運行并刷新其 DRAM 寫緩存的話，顯然是不現(xiàn)實的。

值得慶幸的是，MRAM 的非易失性，可以徹底消除對大型超級電容器的需求。

AnandTech 指出，IBM FlashSystem 可擁有高達 19.2TB 的 64 層 TLC NAND 存儲空間，并借助 20 通道 NAND 接口和 PCIe 4.0 x4 主機接口，在雙端口 2+2 模式下運行。

據(jù)悉，IBM 將在本周的閃存峰會上展出 FlashSystem 驅(qū)動器，并于本月晚些時候開始向客戶交付。


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