微控制器單片機(jī)如何應(yīng)用串口sram
2018-05-09 10:53:32
微控制器單片機(jī)需要外擴(kuò)片內(nèi)資源，一般來說單片機(jī)目前有兩種外擴(kuò)RAM資源的模式，一種是采用并口接口，另外一種是采用串口接口，而串口接口目前是應(yīng)用的比較少的一種外擴(kuò)ram模式，這為什么呢，因?yàn)閺膫鹘y(tǒng)的存儲(chǔ)器件的設(shè)計(jì)里面，并口接口從一開始一直被使用開來，在很多應(yīng)用中被廣泛的使用，隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的開啟，在應(yīng)用設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)并口接口有時(shí)候在不確定其他的特性的要求下，或者應(yīng)用對于外擴(kuò)ram整體要求不是特別高的時(shí)候,可以采用串口接口的方式對外拓展RAM資源，這也是為什么串口sram是在近幾年才被提出，
串口sram目前容量有64Mbit，速度快，功耗低，符合多數(shù)單片機(jī)或者其他應(yīng)用外擴(kuò)RAM資源的要求，如我司代理品牌VTI科技有限公司的串口sram產(chǎn)品可以說充分的補(bǔ)充了市場上的空白，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。與傳統(tǒng)并行SRAM相比，這些串行器件具有更低的功耗和更少的I/O連接。一個(gè)小巧、能夠只扮演緩存的角色、并能使用最小數(shù)量的引腳相連的外置SRAM。
串口SRAM就是專為滿足這個(gè)要求而量身定做的。存儲(chǔ)器在高速性能并非最重要因素的其它存儲(chǔ)器(DRAM、閃存等)中，串行接口已經(jīng)取代了并行接口。由于存在需要SRAM的應(yīng)用，串口SRAM在SRAM市場中一直處于小眾地位。在空間非常有限的特定應(yīng)用中，它們一直是低功耗、小尺寸替代方案。
以下是串口SRAM的產(chǎn)品型號參考：
| Density |
Organization |
Part NO. |
Vcc(V) |
Speed(MHz) |
Bus Modes |
Temp. |
Package |
| 64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
| 64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064LSM |
1.8 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
| 64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064MSM |
3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
| 64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064MSM |
3 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
| 32Mbit |
4M x 8 |
VTI7032LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
| 32Mbit |
4M x 8 |
VTI7032LSM |
1.8 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
| 16Mbit |
2M x 8 |
VTI7016LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
| 16Mbit |
2M x 8 |
VTI7016LSM |
1.8 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
| 1Mbit |
128K x 8 |
VTI7001LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
| 1Mbit |
128K x 8 |
VTI7001NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
| 512Kbit |
64K x 8 |
VTI7512LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
| 512Kbit |
64K x 8 |
VTI7512NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
| 256Kbit |
32K x 8 |
VTI7256LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
| 256Kbit |
32K x 8 |
VTI7256NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
| 128Kbit |
16K x 8 |
VTI7128LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
| 128Kbit |
16K x 8 |
VTI7128NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
本文關(guān)鍵詞：
串口sram
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