MICROCHIP美國微芯推出業(yè)內容量最大、速度最快的四款串行serial SRAM新器件，為其串行SRAM產品線增添了新的產品組合，目前這些串行SRAM是業(yè)內首批5V電壓工作的產品，于我司其他代理品牌VTI的差別在于電壓稍微較大，我司另外代理品牌VTI的串行SRAM工作電壓目前為3.3V,品牌VTI的容量可以高達64Mbit，，而且為8引腳的封裝8-SOIC設計，更適合體積較小的應用產品，MICROCHIP美國微芯推出的串行SRAM廣泛適用于汽車和工業(yè)應用。器件可通過四路SPI或SQI™協(xié)議可實現(xiàn)高達80 Mbps的速度，為卸載圖形、數據緩沖、數據記錄、顯示、數學、音頻、視頻及其他數據密集型功能提供所需的近乎瞬時數據傳送及零寫入時間。
        MICROCHIP美國微芯推出的串行SRAM中其中型號為23LCV512和23LCV1024，可以通過外部電池備份提供無限次耐用性、非易失性RAM低成本低功耗的方案選擇，事實上，憑借其40 Mbps的快速雙SPI（SDI）吞吐量以及低運行電流和休眠電流，這些串行NVSRAM器件可以高速工作，沒有并行NVSRAM高引腳數的缺點，其功耗可媲美FRAM，且價格更為低廉。這將有利于電表、黑匣子及其他數據記錄應用，這些應用需要無限耐用性或瞬時寫入以及非易失性存儲。
 
以下是串行SRAM的型號參考：

BRAND	Density	Part number	Voltage	Speed(MHz)	Temp.-Range	PKG
MICROCHIP	1Mb	23A1024	1.7 - 2.2V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	1Mb	23LC1024	2.5 - 5.5V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	1Mbit	23LCV1024	2.5 - 5.5	20	-40°C to +85°C	SPI,SDI
MICROCHIP	512Kb	23A512	1.7 - 2.2V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	512Kb	23LC512	2.5 - 5.5V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	512Kbit	23LCV512	2.5 - 5.5	20	-40°C to +85°C	SPI,SDI
MICROCHIP	256Kb	23A256	1.7-1.95V	16	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	256Kb	23K256	2.7-3.6V	20	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	64Kb	23A640	1.7-1.95V	16	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	64Kb	23K640	2.7-3.6V	20	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
VTI	64Mbit	VTI7064LSM	1.8	133	C,I	8-SOIC
VTI	64Mbit	VTI7064MSM	3	20	C,I	8-SOIC
VTI	64Mbit	VTI7064MSM	3	133	C,I	8-SOIC
VTI	64Mbit	VTI7064LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	32Mbit	VTI7032LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	32Mbit	VTI7032LSM	1.8	133	C,I	8-SOIC
VTI	16Mbit	VTI7016LSM	1.8	133	C,I	8-SOIC
VTI	16Mbit	VTI7016LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	1Mbit	VTI7001NSM	3.3	20	C,I	8-SOIC
VTI	1Mbit	VTI7001LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	512Kbit	VTI7512NSM	3.3	20	C,I	8-SOIC
VTI	512Kbit	VTI7512LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	256Kbit	VTI7256NSM	3.3	20	C,I	8-SOIC
VTI	256Kbit	VTI7256LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	128Kbit	VTI7128NSM	3.3	20	C,I	8-SOIC
VTI	128Kbit	VTI7128LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC

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