2018年各廠商開啟新計劃
2018-02-27 14:16:53
從技術(shù)層面來說，三星今年的目標(biāo)除了持續(xù)提升18nm制程的產(chǎn)出比重外，近兩年來DRAM漲價帶動DRAM供貨商的利潤高漲，同時也由于中國大陸潛在競爭者的加入，迫使三星決定展開新一波的擴(kuò)產(chǎn)計劃，將原本計劃做NAND Flash的平澤廠二樓區(qū)域投入生產(chǎn)DRAM，一方面因為DRAM供給吃緊，另一方面由此減少未來NAND Flash的投片量，用以抑制NAND Flash的跌價速度，對此，DRAMeXchange表示，這樣做對整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)來說是積極向上的發(fā)展而并不是壞事。
此外，SK海力士去年底開始導(dǎo)入18nm的生產(chǎn)，然而，進(jìn)入1Xnm世代制程難度高、轉(zhuǎn)換不易，SK海力士目前仍致力于提升其18nm良率；擴(kuò)廠計劃則維持不變，SK海力士最快要到2019年才會在大陸無錫新建的第二座12英寸廠看到產(chǎn)能開出。美光在技術(shù)布局方面，臺灣美光內(nèi)存(原瑞晶) 17nm目前產(chǎn)出比重已超過9成，預(yù)計今年第二季初將完成轉(zhuǎn)換，而臺灣美光晶圓科技(原華亞科)計劃今年中開始進(jìn)行20 nm往17nm的轉(zhuǎn)換，預(yù)計今年年底將有望有一半產(chǎn)能轉(zhuǎn)往17nm生產(chǎn)，并于明年上半年全數(shù)導(dǎo)入。
臺系廠商部分，南亞科第四季營收較前一季大幅成長26.9%，主要歸功于20nm轉(zhuǎn)換良率超乎預(yù)期，以及價格持續(xù)走揚(yáng)帶動。20nm的成本效益拉升營業(yè)利益率至38.9%，較前一季成長7個百分點。展望未來，由于該公司20nm良率繼續(xù)提升，將會持續(xù)改善其成本結(jié)構(gòu)，增加獲利空間。
力晶科技方面，2017年第四季DRAM營收季持平，主要還是替晶豪科、愛普等IC設(shè)計業(yè)者代工的獲利較佳，力晶本身DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高毛利的產(chǎn)品；華邦電方面DRAM營收則下滑2.2%，主要因為DRAM產(chǎn)能受到NOR Flash產(chǎn)能壓縮所導(dǎo)致。
本文關(guān)鍵詞：
NAND Flash
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