發(fā)改委約談三星 抑制DRAM再度漲價
2018-02-06 14:30:33
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，因為內(nèi)存價格持續(xù)出現(xiàn)超過6個季度的上漲，導致多家中國智能手機品牌廠不堪成本壓力，因此在去年年底，國家發(fā)改委約談三星半導體，因此第一季行動式內(nèi)存的漲幅有所放緩。據(jù)了解，韓國政府近日將攜三星電子與國家發(fā)改委簽署備忘錄，內(nèi)容將包括在半導體領(lǐng)域的相關(guān)合作，其中包含擴大在中國投資以及技術(shù)合作的可能性。
近年來，中國成為內(nèi)存產(chǎn)品的最大出海口，不管是國內(nèi)需求或是外銷，透過中國所購買的內(nèi)存比重持續(xù)增加，對于中國市場情緒的變化，三星必須給予尊重及反應。因此，DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，此次事件將可能對未來內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生以下兩種影響：
一、DRAM雖仍呈供貨吃緊狀態(tài)，但未來漲幅將受抑制
從DRAM領(lǐng)域來看，現(xiàn)在供貨商在生產(chǎn)行動式內(nèi)存的獲利遠低于其他類別產(chǎn)品，而受到第一季智能手機市場低迷需求的影響，再加上國家發(fā)改委的干預，預期未來價格漲幅將會更加受到控制。預計未來，供貨商預期會持續(xù)將現(xiàn)有的產(chǎn)能從行動式內(nèi)存轉(zhuǎn)向更高毛利產(chǎn)品，造成其他類別產(chǎn)品的價格漲幅也進一步收斂。
二、供貨商為避免價格漲幅過高，新增產(chǎn)能的可能性增加
其次，在NAND Flash領(lǐng)域，2018年由于3D NAND Flash的比重持續(xù)提高，因此供貨吃緊的狀態(tài)較去年大幅改善。然而，觀察DRAM供給，因為現(xiàn)在并未有新增產(chǎn)能貢獻位元產(chǎn)出，所有2018年仍會處于供不應求狀態(tài)。DRAMeXchange分析，為解決中國方面對于內(nèi)存價格持續(xù)上漲所表達的強烈不滿，對供貨商而言，在漲價受到抑制、成本下降不易的考慮下，新增產(chǎn)能的可能性與時程皆可能轉(zhuǎn)趨積極，透過增加產(chǎn)能來貢獻位元產(chǎn)出不僅可以維持價格穩(wěn)定，也希望藉此維持該企業(yè)在DRAM產(chǎn)品的獲利水平。
本文關(guān)鍵詞：
DRAM NAND Flash
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