目前根據(jù)GlobalFoundries、三星、臺(tái)積電和聯(lián)電公布出來的計(jì)劃預(yù)計(jì)在今年或者明年開始以嵌入式內(nèi)存解決方案的形式提供 MRAM，開始提供自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻 RAM(spin-transfer torque magnetoresistive RAM，簡(jiǎn)稱 ST-MRAM 或 STT-MRAM)作為 NOR 閃存的替代或 NOR 閃存之外的另一種選擇，標(biāo)志著MRAM正式改變內(nèi)存市場(chǎng)的格局，因?yàn)榈侥壳爸挥蠩VERSPIN為各種應(yīng)用提供商用產(chǎn)品MRAM,包括替換電池供電的SRAM,寫緩存等等。
 
STT-MRAM使用電子自旋的磁性來實(shí)現(xiàn)芯片的非易失性，從性能來看，既有SRAM的速度，同時(shí)兼顧非易失性，更甚于塌近乎無限的耐久性，嵌入式內(nèi)存IP市場(chǎng)會(huì)是STT-MRAM的機(jī)會(huì)，傳統(tǒng)的嵌入內(nèi)存NOR內(nèi)存存在較多的問題，如40nm向28nm的工藝設(shè)計(jì)及以后節(jié)點(diǎn)遷移遇到的不可估計(jì)的問題，所以STT-MRAM會(huì)讓這項(xiàng)技術(shù)成為先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上對(duì)傳統(tǒng)技術(shù)的事實(shí)上的替代技術(shù)。
 
GlobalFoundries 嵌入式內(nèi)存副總裁 Dave Eggleston 說道，在針對(duì)汽車和安全應(yīng)用時(shí)，嵌入式內(nèi)存將會(huì)是嚴(yán)酷環(huán)境中的數(shù)據(jù)存留之王，那是嵌入式閃存還將繼續(xù)長(zhǎng)壽的領(lǐng)域。但它的擴(kuò)展性不是很好。隨著你下降到 28nm 或更小的節(jié)點(diǎn)，嵌入式閃存實(shí)際上就成了一個(gè)成本高昂的選擇。”
STT-MRAM 也恰好為 20 幾納米及以后節(jié)點(diǎn)的嵌入式內(nèi)存應(yīng)用做好了準(zhǔn)備，用于汽車、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子和移動(dòng)設(shè)備的 MCU 和 SoC 上，嵌入式 STT-MRAM 有很大的機(jī)會(huì)替代嵌入式閃存，不失為這個(gè)行業(yè)的一種新的解決方案。

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