1、PSRAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器介紹
PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）融合了SRAM接口便捷性與DRAM存儲(chǔ)密度的優(yōu)點(diǎn)，和傳統(tǒng)的DDR運(yùn)行內(nèi)存相比較，PSRAM不需要復(fù)雜的外部刷新控制器，內(nèi)部結(jié)構(gòu)集成自刷新邏輯電路，對(duì)外呈現(xiàn)出與SRAM兼容的簡(jiǎn)單接口。這樣的設(shè)計(jì)既保留了SRAM易于控制的優(yōu)點(diǎn)，又實(shí)現(xiàn)了接近DRAM的存儲(chǔ)密度，可以有效簡(jiǎn)化硬件產(chǎn)品開發(fā)流程、降低物料清單成本，幫助企業(yè)在保證產(chǎn)品性能的同時(shí)控制整體預(yù)算。
2、偉凌創(chuàng)芯低功耗psram偽靜態(tài)存儲(chǔ)器EMI164LA16LM-70I產(chǎn)品說明
偉凌創(chuàng)芯推出的EMI164LA16LM-70I系列PSRAM芯片提供64Mb容量，采用4M x 16bit的組織形式，工作電壓范圍為1.7至1.95V，訪問速度達(dá)到60至70ns，采用48BGA封裝。芯片內(nèi)部集成了存儲(chǔ)陣列與控制邏輯，不需要額外搭配外置存儲(chǔ)芯片，既節(jié)省了PCB布線空間，也降低了整體方案復(fù)雜度，適用于智能家電控制面板、基礎(chǔ)款人機(jī)交互設(shè)備、簡(jiǎn)易桌面顯示模塊等空間受限、成本敏感的使用場(chǎng)景。
3、PSRAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器性能優(yōu)勢(shì)
偉凌創(chuàng)芯PSRAM的低功耗性能為智能產(chǎn)品帶來了更長(zhǎng)的待機(jī)能力，特別適合于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的消費(fèi)電子產(chǎn)品。同時(shí)，因?yàn)镻SRAM自身已經(jīng)具備數(shù)據(jù)緩存與指令存儲(chǔ)能力，開發(fā)者不需要額外增加單獨(dú)的電源管理單元或DDR運(yùn)行內(nèi)存，既優(yōu)化了電源設(shè)計(jì)，也會(huì)減少潛在故障點(diǎn)。對(duì)于界面渲染、控制指令緩存、輕量級(jí)信息處理等典型任務(wù)，PSRAM可以提供充足的帶寬和穩(wěn)定性，有助于產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)低成本與高可靠性的平衡。
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