英尚微推出小尺寸低功耗串行SRAM解決方案
2025-10-14 10:02:32
為滿足客戶對(duì)更大更高效的串口SRAM的普遍需要，英尚微擴(kuò)展了公司旗下
串行SRAM產(chǎn)品系列，不僅僅存儲(chǔ)量提高，串行外設(shè)接口/串行四通道輸入/輸出接口（SPI/SQI™）的速度也將同步提高，我們可以提供不同存儲(chǔ)量器件，為傳統(tǒng)意義上的串行SRAM產(chǎn)品提供性價(jià)比更高的替代方案，并在SRAM存儲(chǔ)芯片中包含可選的電池備份數(shù)據(jù)切換電源電路，以便在斷電時(shí)保存數(shù)據(jù)。
在目前串行SRAM芯片制造工藝演變中，嵌入式SRAM的尺寸縮小速度相對(duì)滯后邏輯區(qū)域，限制控制系統(tǒng)整體面積的進(jìn)一步微縮，造成芯片成本下降幅度未能達(dá)到理想標(biāo)準(zhǔn)?？紤]到處理器與控制系統(tǒng)的核心功能主要由邏輯塊實(shí)現(xiàn)，將嵌入式SRAM從芯片中剝離，進(jìn)而使用外部獨(dú)立SRAM，正逐漸成為更具系統(tǒng)優(yōu)化意義的設(shè)計(jì)思路。
英尚微電子推出的串行SRAM芯片具備小尺寸、低功耗與高性能等特點(diǎn)，擁有無限耐用性與零寫入時(shí)間的優(yōu)點(diǎn)，非常適用于連續(xù)傳送數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)緩沖、實(shí)時(shí)記錄、計(jì)量檢驗(yàn)以及其他數(shù)學(xué)與數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。產(chǎn)品存儲(chǔ)量覆蓋64 Kb至4 Mb，支持SPI、SDI及SQI等多種總線模式。
盡管串行SRAM在整個(gè)SRAM市場(chǎng)上仍屬于細(xì)分市場(chǎng)，但在空間受限、強(qiáng)調(diào)低功耗與小封裝的特定應(yīng)用場(chǎng)景中，它始終是不可缺少的優(yōu)選方案。
本文關(guān)鍵詞：SRAM,串行SRAM
上一篇文章：國(guó)產(chǎn)高性能psram偽靜態(tài)存儲(chǔ)器選型優(yōu)勢(shì)
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
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