十二英寸新增產(chǎn)能當(dāng)中約65%為成熟制程（28nm及以上），該制程產(chǎn)能年增率達(dá)20%，顯見2022年各晶圓代工廠多半將擴(kuò)產(chǎn)重心放置于十二英寸晶圓產(chǎn)能，且以成熟制程為主軸，而主要擴(kuò)產(chǎn)動能來自于臺積電、聯(lián)電、中芯國際、華虹集團(tuán)旗下HHGrace，以及合肥晶合集成。
 
由于近期28nm以上制程節(jié)點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)活動較著重于特殊制程的多元性發(fā)展，Power相關(guān)功率半導(dǎo)體制程大致可分power discrete與Power IC兩大類，其中，以MOSFET、IGBT等功率晶體管為主流產(chǎn)品的power discrete，受到5G基礎(chǔ)建設(shè)、消費(fèi)性快充、車用電子、電動車等產(chǎn)品單位功率元件消耗量增加而需求急速增長。
 
整體市場長期由國際IDM廠主導(dǎo)，如英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等，全球IDM廠囊括約80~90%市占，fabless則占約10~20%。晶圓代工業(yè)者方面，除既有fabless客戶需求逐年提升外，近年來由于IDM自有工廠擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程較為保守，導(dǎo)致供不應(yīng)求情況頻傳，IDM廠亦陸續(xù)將產(chǎn)品委外給晶圓代工廠。
 
PMIC方面，現(xiàn)階段多半采取BCD平臺技術(shù)，并以八英寸0.18-0.11µm制程節(jié)點(diǎn)制造為主流。受惠于5G智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、電動車等技術(shù)規(guī)格升級，帶動PMIC需求于近年來大幅提升，然而，由于八英寸產(chǎn)能增幅有限，以及因應(yīng)新一代主芯片發(fā)布帶動的周邊料況更新需求，各晶圓代工廠也陸續(xù)協(xié)助客戶將部分PMIC轉(zhuǎn)進(jìn)至十二英寸生產(chǎn)，而PMIC規(guī)劃轉(zhuǎn)進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)為90/55nm，并以智能手機(jī)、服務(wù)器等應(yīng)用為主，包含臺積電、聯(lián)電、力積電、HHGrace、中芯國際等都有布局。


本文關(guān)鍵詞：晶圓,PMIC,MOSFET

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