在最近幾年，就有許多新技術被稱為閃存殺手。有些人甚至提出了更高的標準，目標不亞于通用內(nèi)存，一種可以進入內(nèi)存層次結構的方法，最終取代 DRAM 和 SRAM。這很可能會發(fā)生，但與此同時，閃存的統(tǒng)治仍在繼續(xù)，未來仍不明朗。

MRAM基于磁隧道結(MTJ)的特性，與FRAM的鐵電材料非常相似，MTJ可以根據(jù)（磁）極化在低電阻和高電阻狀態(tài)之間切換細胞。MTJ的持續(xù)極化狀態(tài)可以通過磁場（需要相當高的電流）或通過自旋極化電流（可以低得多）來改變。前一種技術稱為Toggle MRAM，而后者稱為STT-MRAM。
 
在新興NVM市場中的當前位置來看，MRAM很可能正在取代NOR閃存（甚至可能是SLC NAND閃存）。它具有許多FRAM優(yōu)勢（高寫入速度、低能量、高耐用性），沒有相關的縮放問題（當前自旋轉移矩(STT)MRAM實施存在于28nm工藝技術節(jié)點上，預計短期內(nèi)會進一步縮小規(guī)模.
 
早在2016年，Everspin就通過其Quad SPI切換MRAM存儲器向嵌入式開發(fā)人員廣泛使用了MRAM技術。從那時起，產(chǎn)品組合不斷發(fā)展，一個1Gbit 28nm STT-MRAM與DDR接口@1333MT/s更證明該技術確實可以擴展（速度和密度）并提供可行的閃存的替代品。

本文關鍵詞：MRAM,Everspin,FRAM

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