在芯片封裝領域，有AMD的3DV-Cache技術，雖然臺積電的代工短期內(nèi)還存在問題，但推出已指日可待。在內(nèi)存領域，同樣也有3DDRAM技術的研發(fā)，三星就在這一方面加快了研發(fā)進度，預計在2025年推出。
 
三星電子正在加速3D DRAM的研發(fā)，在積極擴充人才隊伍的同時還向該項目傾斜了更多的資源。以往的DRAM是通過晶體管和電容器排在一個平面上生產(chǎn)的。隨著20世紀80年代末DRAM容量超過4兆，提高DRAM的密度變得困難，使得重新排列電路和電容成為必然。
 
日本的東芝和NEC以及美國的IBM更傾向于溝槽法，而三星電子則選擇堆疊法。當時三星電子采用堆疊法是因為這是一種更容易制造DRAM和檢查生產(chǎn)過程中問題的方法。因此三星電子可以建立一個半導體帝國，并在大約30年的時間里一直保持其在DRAM市場上的第一地位。
 
在堆疊法推廣之后，芯片制造商通過縮小單元尺寸或間距來提高DRAM的性能。然而在有限的空間內(nèi)增加單元的數(shù)量，遇到了一個物理限制。另一個問題是，如果電容器變得越來越薄，它們可能會坍塌。3D DRAM的概念就是在這種背景下提出的。目前的DRAM可以被稱為2D DRAM。
 
三星電子已經(jīng)開始開發(fā)一種層疊單元的技術。這是與高帶寬內(nèi)存（HBM）不同的概念，后者是通過將多個模具堆疊在一起產(chǎn)生的。此外，三星電子還在考慮增加DRAM晶體管的柵極（電流門）和通道（電流路徑）之間的接觸面。這意味著三面接觸的FinFet技術和四面接觸的Gate-all-around（GAA）技術可以用于DRAM生產(chǎn)。當柵極和通道之間的接觸面增加時，晶體管可以更精確地控制電流的流動。
 
美光科技和SK海力士也在考慮開發(fā)3D DRAM。美光提交了一份與三星電子不同的3D DRAM的專利申請。美光公司的方法是在不鋪設單元的情況下改變晶體管和電容器的形狀。應用材料公司和LamResearch等全球半導體設備制造商也開始開發(fā)與3DDRAM有關的解決方案。
 
由于開發(fā)新材料的困難和物理限制，3DDRAM的商業(yè)化還需要一些時間。業(yè)內(nèi)人士預測，3DDRAM將在2025年左右開始問世。

本文關鍵詞：3D DRAM,DRAM

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