IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一個(gè)8M容量，組織結(jié)構(gòu)為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。采用高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準(zhǔn)再加創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，造就了這款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片選引腳和輸出使能引腳，可以簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器擴(kuò)展。IS62WV51216EBLL-45TLI采用 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2封裝。
 
我司介紹一款可用于替換IS62WV51216EBLL-45TLI的國(guó)產(chǎn)SRAM芯片，EMI偉凌創(chuàng)芯8Mbit國(guó)產(chǎn)低功耗SRAM芯片EMI508NL16VM-55I采用EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。位寬512K*16,電源電壓為2.7V~3.6V，支持工業(yè)溫度范圍和芯片級(jí)封裝，以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的用戶靈活性。該系列還支持低數(shù)據(jù)保留電壓1.5V(Min.)，用于以低數(shù)據(jù)保留電流進(jìn)行電池備份操作。采用標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2封裝形式。代理商英尚微電子提供免費(fèi)樣品測(cè)試及技術(shù)支持。
 
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲(chǔ)器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲(chǔ)器占據(jù)芯片的功耗比例越來(lái)越大，高速低功耗的SRAM設(shè)計(jì)變得越來(lái)越重要。
 
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