寫操作分析

寫操作與讀操作正好相反，它要使存儲(chǔ)單元的狀態(tài)按照寫入的數(shù)據(jù)進(jìn)行相應(yīng)的翻轉(zhuǎn)。如圖3.6 表示了六管單元的寫操作示意圖。位線BIT_在寫操作開始時(shí)被驅(qū)動(dòng)到低電平。在字線打開傳輸管后，N3 與P1 管在BIT 與高電平VDD 之間形成分壓。為了寫操作的成功，也就是下拉節(jié)點(diǎn)A 至足夠的低電平，啟動(dòng)反相器P2/N2放大新數(shù)據(jù)，傳輸管N3 應(yīng)該比P1 管有更好的導(dǎo)通性。一旦反相器P2/N2 開始放大節(jié)點(diǎn)A 上的低電壓，也就是節(jié)點(diǎn)A 上的下拉管N2 被關(guān)閉，上拉管P2 被打開，節(jié)點(diǎn)B 的電壓將上升，反相器P1/N1 也將被啟動(dòng)，節(jié)點(diǎn)A 在正反饋?zhàn)饔孟逻M(jìn)一步向GND 轉(zhuǎn)化，寫操作被加速。

 
在六管單元的寫操作中，外部電路驅(qū)動(dòng)兩個(gè)互補(bǔ)的信號(hào)到位線BIT 和BIT_上，字線驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)字線ROW 到高電平，位線信號(hào)經(jīng)兩個(gè)傳輸管寫入存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。如圖3.6 所示的正是向存有“1”的單元寫“0”的情況，也就是把A 點(diǎn)的電平由VDD 下拉至GND。
 

本文關(guān)鍵詞： SRAM存儲(chǔ)器

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