SK海力士公布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲器晶圓廠，用以滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將修建在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開始設(shè)計(jì)外部的建造，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的建造，總投資額高達(dá)達(dá)2.2兆韓元（18.4億美金）。 
    SK海力士表示，公司決定另外的新建一座Fab工廠，主要是為了保證能夠滿足NAND Flash存儲芯片市場增長的需求，以及逐步向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠的時(shí)間需要超過2年，所以提前做好準(zhǔn)備。 
    SK海力士曾在2015年透露，將來十年內(nèi)將斥資46兆韓元在利川、清州等地區(qū)建設(shè)3個(gè)新的工廠。本次新工廠建造項(xiàng)目也是公司中長期投資計(jì)劃中的一部分，其中還包括在2015年8月竣工的利川M14工廠。本次新工廠建設(shè)項(xiàng)目的設(shè)備安裝會(huì)根據(jù)市場情況和公司搬遷方案而定。 
    SK海力士NAND Flash重要生產(chǎn)基地是韓國忠清北道清州市，已分別在2007年新建M11和2012年新建M12工廠，再加上將在2017年新建的工廠，一共有3座NAND Flash工廠。此外，SK海力士還計(jì)劃在2017年將在M14二樓生產(chǎn)3D NAND。  同時(shí)，SK海力士計(jì)劃加大投資力度投資中國無錫DRAM晶圓廠，從2017年7月到2019年4月將總投資9500億韓元（7.9億美元），用以保持生產(chǎn)競爭力。 
     SK海力士無錫工廠自2006開始運(yùn)營以來，目前生產(chǎn)量已占公司DRAM總產(chǎn)量的一半。但由于生產(chǎn)流程越來越多和科學(xué)技術(shù)發(fā)展，空間不足導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低也是無法避免，SK海力士為了彌補(bǔ)晶圓產(chǎn)能可能的損失，決定加碼投資用于無錫工廠內(nèi)的潔凈室，提高生產(chǎn)力，保證其DRAM生產(chǎn)能力在產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。

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