下一代企業(yè)級SSD中基于DRAM的SSD控制器架構(gòu)。 STT-MRAM使SSD設(shè)計(jì)人員能夠優(yōu)化占地面積，性能，耐用性和可靠性，同時(shí)降低復(fù)雜性并實(shí)現(xiàn)高級功能。
 
STT-MRAM可以在SSD中提供更大的寫緩沖區(qū)，而保持能量的存儲量卻更少。通過大大減少停電保護(hù)所需的能量存儲量，可以使用與超級電容器或電池相反的高度可靠的鋁或鉭電容器來實(shí)現(xiàn)能量存儲。消除了對溫度敏感和有壽命限制的超級電容器和電池的需求，從而提高了SSD的可靠性和可制造性。這消除了由于使用超級電容器和電池而產(chǎn)生的其他制造限制或潛在的現(xiàn)場服務(wù)問題。
 
除了掉電保護(hù)之外，在低延遲STT-MRAM中實(shí)現(xiàn)的更大的寫緩沖區(qū)可以通過在允許主機(jī)回壓之前緩沖更多的數(shù)據(jù)來大大提高正常操作期間的突發(fā)寫性能。增加的寫緩沖區(qū)大小還可以實(shí)現(xiàn)更多的寫合并，從而減少寫放大并提高閃存的耐久性。
 
STT-MRAM提供分層FTL的非易失性存儲，并簡化了控制器設(shè)計(jì)，同時(shí)減少了電源故障后的恢復(fù)時(shí)間。除了支持壓縮和重復(fù)數(shù)據(jù)刪除表之外，STT-MRAM的使用還為本地低延遲CMB實(shí)現(xiàn)提供了持久存儲，同時(shí)減輕了向SSD驅(qū)動(dòng)器添加這種廣泛功能的任務(wù)。EVERSPIN的STT-MRAM現(xiàn)在已經(jīng)投入生產(chǎn)，可以加速SSD的性能，可靠性和密度。


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