在整個(gè)地址空間范圍內(nèi)讀寫各種類型的數(shù)據(jù)。通常MRAM的操作和時(shí)序類似于32位微控制器的規(guī)范和時(shí)序。與DLFASH相比，當(dāng)今的非易失性存儲(chǔ)器可以接受MRAM設(shè)備的性能和吞吐量。
 
與當(dāng)今的DFLASH相比，未來(lái)的汽車動(dòng)力總成控制器可能需要更快，更加強(qiáng)大的非易失性和保活內(nèi)存。在非易失性存儲(chǔ)器中使用MRAM可以顯著提高時(shí)間緊迫狀態(tài)下的寫入數(shù)據(jù)傳輸性能。MRAM設(shè)備可用的增加的內(nèi)存存儲(chǔ)空間還可以存儲(chǔ)更多診斷數(shù)據(jù)。
 
mram芯片技術(shù)在汽車市場(chǎng)上有許多應(yīng)用。由于MRAM技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)集成在一起，便可以將其嵌入到動(dòng)力總成微處理器中（當(dāng)今，MRAM嵌入了某些非汽車微處理器中）。但是由于以下的一些原因，此時(shí)將MRAM集成到Powertrain硅片中的最經(jīng)濟(jì)的方法是采用芯片堆疊。

•從動(dòng)力總成硅片中刪除內(nèi)存陣列可減小其管芯尺寸，從而增加每個(gè)晶片的管芯數(shù)量，同時(shí)提高管芯良率。這兩個(gè)動(dòng)作均降低了動(dòng)力總成芯片的成本

•芯片堆疊技術(shù)的進(jìn)步已經(jīng)成熟到可接受的質(zhì)量水平。在已知好的動(dòng)力總成芯片上堆疊MRAM的已知好芯片（KGD）提供了最便宜的解決方案，因?yàn)樗闪顺杀咀畹偷腃MOS芯片和成本最低的MRAM芯片。

在集成下一代ST-MRAM提供汽車市場(chǎng)所需的性價(jià)比（估計(jì)大約5年以上）之前，當(dāng)今公認(rèn)的可用的強(qiáng)大的MRAM技術(shù)似乎是集成的最佳方法。MRAM技術(shù)進(jìn)入汽車應(yīng)用。
 
汽車動(dòng)力總成模塊使用閃存技術(shù)在斷電（保持活動(dòng)內(nèi)存和非易失性內(nèi)存）期間保留重要的控制和診斷信息。 復(fù)雜的軟件必須設(shè)計(jì)為最大化這些設(shè)備的生命周期，因?yàn)樗鼈兊膶懭胫芷跀?shù)量有限。
 
MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）具有消除這種復(fù)雜性的潛力，并使KAM和NVM的管理過(guò)程中更加輕松并更加強(qiáng)大。 本文演示了將板載MRAM器件與下一代動(dòng)力總成微處理器一起使用。創(chuàng)建了集成了最新動(dòng)力總成微控制器，everspin MRAM MRA16A（2個(gè)x16位）和MR2xH50（@ SCK 40MHz）芯片的原型板。進(jìn)行了一項(xiàng)調(diào)查，評(píng)估了在模擬按鍵關(guān)閉和按鍵事件期間用于存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)的MRAM功能。
 

本文關(guān)鍵詞： everspin  汽車MRAM

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