MRAM芯片MR0A16AVMA35
2018-06-13 15:41:04
MRAM利用電子自旋的磁性提供快速而持久的非易失性存儲(chǔ)器。 MRAM將信息存儲(chǔ)在與硅電路集成的磁性材料中，以便將RAM的速度與Flash的非易失性相提并論。總部位于亞利桑那州錢(qián)德勒的Everspin擁有并運(yùn)營(yíng)著一條生產(chǎn)線，用于其磁性后端晶圓加工，采用鑄造廠生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓。Everspin Technologies是一家開(kāi)發(fā)和制造磁性RAM或磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）的公共半導(dǎo)體公司，其中包括獨(dú)立和嵌入式MRAM產(chǎn)品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM），Everspin目前的MRAM產(chǎn)品基于180納米和130納米工藝， nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝。
Everspin科技公司一款并行MRAM芯片MR0A16AVMA35，由65,536字 x 16位構(gòu)成，芯片的工作電壓為3.3V，封裝48-BGA球柵陣列封裝，工作溫度范圍-40 to +105C，具有高可靠性以及有無(wú)限的寫(xiě)入周期及35ns讀寫(xiě)時(shí)間和兼容SRAM周期，引腳布局采用現(xiàn)有的SRAM控制器，無(wú)需重新設(shè)計(jì)在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，并消除了組裝電池以及可靠性問(wèn)題和不利因素。典型的應(yīng)用包括計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)及服務(wù)器、工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人、電能管理、交通以及軍用/航空系統(tǒng)。35ns的快速讀/寫(xiě)周期
產(chǎn)品型號(hào)參考如下：
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0 ℃to +70℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40 to +105C |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0D08BMA45 |
48-BGA |
3.3VDD, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0DL08BMA45 |
48-BGA |
2.7VDD min, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
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