目前，各大廠商都在加大力度研發(fā)3D NAND，想辦法盡可能地提升自己閃存的存儲密度。

 

東芝及西數(shù)已計劃在今年量產新的96層BiCS4 儲存芯片，三星也在發(fā)展QLC NAND 芯片，將會在第五代NAND技術實現(xiàn)96層這一目標。

 

3D NAND技術在現(xiàn)在已經廣泛被使用，其設計與2D NAND 相反，儲存器單元不是在一個平面內，而是一個堆疊在另一層之上，這種方式可以讓每顆芯片的儲存容量明顯增加，并且不用增加芯片面積或者縮小單元，使用3D NAND可以實現(xiàn)更大的結構和單元間隙，這可以增加產品的耐用性。

 

 

但是，3D NAND技術也表明，增加存儲空間就需要不斷的增加堆疊層數(shù)。而層數(shù)的增加也意味著對工藝、材料的要求會提高，要想達到140層堆疊就必須使用新的基礎材料。而且在堆疊層數(shù)增加的同時，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到62nm，現(xiàn)在的64/72層閃存堆棧厚度大約4.5μm，每層厚度減少到60nm，而到了140+層，堆疊厚度將增至大約8微米，每對堆疊層則必須壓縮到45-50nm，每升級一次堆棧厚度都會變成原來的1.8倍，而層厚度會變成原來的0.86倍。

 

隨著3D NAND層數(shù)不斷提高，其工藝難度可想而知。事實上，降低單位容量生產成本的方式，還包括改善數(shù)據儲存單元結構及控制器技術。目前，存儲單元的結構類型分為以下幾種：SLC、MLC 、TLC 、QLC。

 

SLC單比特單元（每個Cell單元只儲存1個數(shù)據），因為穩(wěn)定，所以性能最好，壽命也最長（理論可擦寫10W次），成本也最高，是最早的頂級顆粒。

 

MLC雙比特單元（每個Cell單元儲存2個數(shù)據），壽命（理論可擦寫1W次）、成本在幾種顆粒中算是均衡的。

 

TLC三比特單元（每個Cell單元儲存3個數(shù)據），成本低，容量大，但壽命越來越短（理論可擦寫1500次），是目前閃存顆粒中的最主流產品。

 

QLC四比特單元（每個Cell單元儲存4個數(shù)據），成本更低，容量更大，但壽命更短（理論可擦寫150次），想成為接替TLC的產品還急需解決很多問題。

 

不過，最近美光與英特爾已經率先采用QLC技術，生產容量高達1Tb、堆疊數(shù)為64層的3D NAND，目前該產品已用于SSD出貨，美光與英特爾強調，此為業(yè)界首款高密度QLC NAND Flash。

 

而盡管三星已完成QLC技術研發(fā)，但三星可能基于戰(zhàn)略考量，若是太快將其商用化，當前產品價格恐將往下調降，加上三星為NAND Flash與SSD市場領先者，并沒有急于將QLC商用化的理由。至于東芝則表示，計劃在96層3D NAND產品采用QLC技術。

 

未來NAND Flash產品若采用可儲存4四比特單元的QLC技術，可望較TLC技術多儲存約33%的數(shù)據量，不過，隨著每一儲存單元的儲存數(shù)據量增加，壽命亦將跟著降低，為改善這方面的缺點，內存廠商還需要克服很多難題。

本文關鍵詞：存儲芯片

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