Everspin MR4A16BCMA35由1,048,576字 x 16位構(gòu)成。對(duì)于這款并行MRAM來說，數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。并行MRAM是大多數(shù)手機(jī) 、 移動(dòng)設(shè)備、膝上機(jī)、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來看，可以預(yù)計(jì)它將能解決包括計(jì)算機(jī)或手機(jī)啟動(dòng)慢、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢、電池壽命短等問題，明顯改變消費(fèi)者使用電子沒備的方式。

 

并行MRAM特性
 

+3.3V電源

35 ns快速讀/寫周期

SRAM兼容時(shí)序

出色的耐讀/寫能力

在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會(huì)丟失

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的小外形BGA和TSOP封裝

 

并行mram優(yōu)勢(shì)
 

一個(gè)存儲(chǔ)器即可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，獲得更簡單、高效的設(shè)計(jì)

替代電池供電的SRAM，提高可靠性

本文關(guān)鍵詞：并行MRAM

 

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