3D XPOINT存儲技術(shù)速度將是現(xiàn)在的1000倍
2018-05-03 14:28:17
據(jù)報道稱，目前華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長繆向水及其團(tuán)隊正在研發(fā)和制造一款基于相變存儲器的3D XPOINT存儲技術(shù)。他預(yù)計，在相變存儲器技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度會比現(xiàn)在的存儲器快1000倍，可靠性也將提高1000倍。
芯片就是信息社會的糧食，其中存儲器芯片是市場上應(yīng)用最廣泛的，市場需求最大的芯片，所有的電子產(chǎn)品，包括相機(jī)、手機(jī)、電腦都離不開它?，F(xiàn)在我國每年進(jìn)口額高達(dá)2600億美元，其中的四分之一是存儲器，我國95％的存儲器芯片依靠進(jìn)口，國產(chǎn)芯片毫無立足之地。但是要打破這一現(xiàn)狀，沒有那么容易。
“芯片是一個高度復(fù)雜的科技產(chǎn)品，5毫米見方的硅片上，電路只有頭發(fā)的幾百分之一粗細(xì)，肉眼無法看到，每個存儲器加工過程有66步工藝，一步都不能做錯而且芯片加工設(shè)備昂貴，流片出錯的成本極高，一不小心損失可達(dá)上千萬元。我國的芯片技術(shù)落后于世界，追趕上去需要一定的時間。”他解釋道。
在4月上旬，長江存儲武漢基地也正式引進(jìn)了芯片生產(chǎn)機(jī)，這也標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。中國第一批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層 3D NAND閃存芯片很可能將于年內(nèi)量產(chǎn)。
本文關(guān)鍵詞：
相變存儲器
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