在國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體替代進(jìn)程中，存儲(chǔ)芯片的選擇直接影響終端產(chǎn)品的性能與成本。凱芯科技Cascadeteq推出的高速低功耗國(guó)產(chǎn)PSRAM，為需要兼顧速度與功耗的嵌入式系統(tǒng)提供了可靠方案。其中，CSS1604L作為16Mb容量的代表型號(hào)，憑借SPI/QPI簡(jiǎn)化接口、自刷新機(jī)制和寬溫工作能力，正逐步成為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備及便攜終端的國(guó)產(chǎn)替代新選擇。
 

PSRAM國(guó)產(chǎn)替代CSS1604L支持2.7V~3.6V單電源供電，完美兼容3.3V系統(tǒng)。它采用SPI或QPI工作模式，僅需4個(gè)數(shù)據(jù)引腳即可實(shí)現(xiàn)最高133MHz的時(shí)鐘速率（線性512字節(jié)突發(fā)，VDD=3.0V±10%）。PSRAM國(guó)產(chǎn)替代方案相比并行SRAM或DRAM，這種低引腳數(shù)設(shè)計(jì)大大降低了PCB布線復(fù)雜度，也減少了主控芯片的I/O占用。用戶還可通過(guò)寄存器配置16、32、64、512字節(jié)的突發(fā)長(zhǎng)度，并利用回繞切換命令實(shí)現(xiàn)32字節(jié)回繞。輸出驅(qū)動(dòng)為L(zhǎng)VCMOS，提供50Ω、100Ω、200Ω三檔可編程強(qiáng)度，方便匹配不同走線負(fù)載。
 

PSRAM內(nèi)部組織為2M×8位（16Mb），地址范圍[20:0]共21位。頁(yè)面大小為512字節(jié)，最突出的特點(diǎn)是全內(nèi)置自刷新機(jī)制——無(wú)需系統(tǒng)主控發(fā)送任何刷新指令，存儲(chǔ)陣列會(huì)自動(dòng)完成數(shù)據(jù)保持。這不僅解放了主控軟件開(kāi)銷，還保證了讀操作的高效率，特別適合電池供電且需要隨時(shí)響應(yīng)的場(chǎng)景。
 

低功耗是PSRAM的核心優(yōu)勢(shì)之一。在25°C室溫下，典型待機(jī)電流僅35µA；即便在85°C時(shí)也控制在150µA，105°C擴(kuò)展溫度下最大待機(jī)電流為200µA。工作溫度提供標(biāo)準(zhǔn)（-40°C~85°C）和擴(kuò)展（-40°C~105°C）兩個(gè)版本，能夠適應(yīng)工業(yè)控制、戶外設(shè)備等嚴(yán)苛環(huán)境。
 

PSRAM國(guó)產(chǎn)替代芯片內(nèi)置片內(nèi)電壓傳感器，上電后當(dāng)VDD穩(wěn)定在最小值以上，需等待150µs并執(zhí)行一次不小于50ns的復(fù)位操作。在此期間，時(shí)鐘保持低電平、片選拉高、數(shù)據(jù)引腳置低即可。完成初始化后，國(guó)產(chǎn)PSRAM芯片即刻進(jìn)入高速讀寫狀態(tài)，無(wú)需復(fù)雜配置。
 

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本文關(guān)鍵詞：PSRAM
 

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