作為先進半導體解決方案的領先供應商的瑞薩電子，宣布推出兩款低功耗SRAM（高級LP SRAM），主要是用于提供增強的可靠性和更長的備份電池壽命的應用，如工廠自動化（FA），工業(yè)設備，以及智能電網。采用110納米（nm）工藝制造，新RMLV1616A系列16兆位（MB）的設備和RMWV3216A系列32 MB裝置采用創(chuàng)新的存儲單元技術，大幅提高了可靠性，并有助于延長電池的運行。
 
目前隨著需求高安全性跟高可靠性的要求，瑞薩順勢而出的高度可靠的SRAM，可以用來存儲重要的信息，比如系統(tǒng)程序及金融交易數據的需求，軟錯誤所引起的α射線和宇宙中子射線的預防是一個顯著的問題。典型的措施來解決這個問題包括嵌入糾錯碼（ECC）電路中的SRAM或用戶的系統(tǒng)糾正可能發(fā)生的任何軟錯誤。然而有限制，對ECC電路的錯誤糾正能力。例如，一些不能糾正影響多個位同時出錯。
 
 
瑞薩的高級LP SRAM器件具有在他們的記憶細胞獨家技術，可實現(xiàn)軟錯誤性（注2）超過500倍，傳統(tǒng)的全CMOS存儲單元（注3）。這使得希望用于要求高可靠性，包括FA，測量設備，智能電網相關設備和工業(yè)設備，除了許多其他領域，如消費設備，辦公設備，和通信設備領域使用。
 
市場上最大容量64Mb低功耗SRAM產品R1WV6416R系列以及32Mb尺寸更小的SRAM產品由瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布推出，  
 
目前瑞薩這兩款新系列采用了專有的存儲單元技術實現(xiàn)實現(xiàn)更小芯片尺寸和無軟錯誤的先進LPSRAM產品的陣容?？梢詽M足消費類產品：電子詞典；工業(yè)設備：自動販賣機、POS終端、自動檢票門；辦公設備：多功能復印機；汽車系統(tǒng)：汽車導航系統(tǒng)；通信系統(tǒng)：電話交換機、路由器等等。
 
這兩款產品主要是在一個封裝中集成了兩個小型32 Mb先進LPSRAM芯片的堆棧，實現(xiàn)了業(yè)界最高的容量，可以滿足需要提高性能系統(tǒng)的大容量SRAM同時也滿足低功耗的需求，由于芯片的體積進一步更小，有利于對減少PCB板空間的設計。瑞薩為了滿足不同的封裝需求，采用了幾種不同的封裝：TSOP I（48引腳）、μTSOP（52引腳），F(xiàn)BGA（48焊球）封裝。TSOP I和μTSOP封裝等，有利于客戶在使用原先的布局設計時增加存儲容量。再者采用一種堆疊電容器*2 存儲單元結構，這是DRAM元件中證明成功的一種方法。它實際上可以消除alpha輻射或高能量中子輻射所引起的軟錯誤，這可能是超精細SRAM存在的一個問題。此外，這種存儲單元結構還可以避免寄生可控硅（parasitic thyristor）的問題，它可能產生寄生電流流動并導致鎖定。消除軟錯誤和鎖定可以實現(xiàn)卓越的可靠性。