PSRAM從外部接口看，它和傳統(tǒng)的SRAM一樣簡(jiǎn)單——你只需要給出地址、發(fā)出讀或?qū)懨?，就能直接存取?shù)據(jù)，不需要像使用DRAM那樣額外掛一個(gè)內(nèi)存控制器來操心刷新時(shí)序。如果深入內(nèi)部探究，會(huì)發(fā)現(xiàn)PSRAM其實(shí)是DRAM的設(shè)計(jì)，PSRAM的存儲(chǔ)單元采用1T1C結(jié)構(gòu)（一個(gè)晶體管加一個(gè)電容），密度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)SRAM的6T單元。正是因?yàn)檫@種“內(nèi)部動(dòng)態(tài)、外部靜態(tài)”的特性，它才被稱為“偽”靜態(tài)存儲(chǔ)器。PSRAM不是要完全替代SRAM或DRAM，而是提供了一個(gè)中間選項(xiàng)。如果你的項(xiàng)目需要擴(kuò)展內(nèi)存，又希望保持接口簡(jiǎn)單，這類偽靜態(tài)存儲(chǔ)器是很好的替代產(chǎn)品。
 

以英尚代理的EMI品牌PSRAM芯片EMI116NA16LM-70I為例，這款存儲(chǔ)器采用1M x 16的組織方式，總?cè)萘繛?6Mb。PSRAM支持2.7V到3.3V的寬電壓范圍，響應(yīng)速度在60到70納秒級(jí)別，封裝形式為48BGA。這些參數(shù)意味著它能夠在功耗和性能之間取得不錯(cuò)的平衡，適合工業(yè)控制、消費(fèi)電子、通信模塊等對(duì)穩(wěn)定性和體積有要求的場(chǎng)景。
 

相比傳統(tǒng)SRAM，PSRAM在相同容量下芯片面積更小、成本更低；而相比DRAM，它又省去了復(fù)雜的內(nèi)存控制邏輯。換句話說，它正好卡在了“大容量”和“易用性”之間的平衡點(diǎn)上。對(duì)于那些需要一定內(nèi)存空間，但又不想增加主控芯片負(fù)擔(dān)的嵌入式系統(tǒng)來說，PSRAM是一種很務(wù)實(shí)的內(nèi)存擴(kuò)展方案。

本文關(guān)鍵詞：PSRAM
 

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