英尚推出偉凌創(chuàng)芯低功耗同步SRAM內(nèi)存方案
2026-04-16 10:49:09
同步SRAM的所有訪問(wèn)操作都嚴(yán)格跟隨時(shí)鐘信號(hào)的上升沿或下降沿啟動(dòng)，地址、數(shù)據(jù)輸入以及控制信號(hào)都與時(shí)鐘保持同步。相比異步SRAM，同步SRAM由于在時(shí)鐘信號(hào)驅(qū)動(dòng)下工作，后續(xù)數(shù)據(jù)讀寫均在時(shí)鐘沿完成，因此具備更快的訪問(wèn)速度和更高的帶寬。為了進(jìn)一步提升效率，業(yè)界還發(fā)展出了多種流水線結(jié)構(gòu)的同步SRAM，廣泛應(yīng)用于對(duì)性能要求苛刻的場(chǎng)景。
英尚代理的偉凌創(chuàng)芯低功耗同步SRAM型號(hào)EMI504HL08WM-55I采用了成熟的CMOS工藝，存儲(chǔ)容量為4Mbit，組織方式為512K×8bit。同步SRAM的工作電壓范圍4.5V~5.5V，訪問(wèn)速率達(dá)到55ns，可在-40℃至85℃的寬溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí)同步SRAM采用32引腳TSOP1的封裝形式，適合對(duì)帶寬有極端要求的設(shè)備，如網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機(jī)、高端顯卡以及通信基站等。
偉凌創(chuàng)芯低功耗同步SRAM類型
?、賈BT SRAM（零總線周轉(zhuǎn)SRAM）消除了傳統(tǒng)SRAM在讀寫切換時(shí)的等待周期，效率極高，常用于網(wǎng)絡(luò)處理器；
?、赒DR SRAM（四倍數(shù)據(jù)速率SRAM）擁有獨(dú)立的讀寫端口，能夠同時(shí)執(zhí)行讀寫操作，帶寬表現(xiàn)十分突出；
?、跠DR SRAM（雙倍數(shù)據(jù)速率SRAM）則在時(shí)鐘上下沿均傳輸數(shù)據(jù)。用戶可根據(jù)自身項(xiàng)目需求，選擇最匹配的同步SRAM方案。
如需進(jìn)一步了解低功耗同步SRAM產(chǎn)品數(shù)據(jù)或樣品申請(qǐng)，請(qǐng)聯(lián)系英尚微電子獲取專業(yè)服務(wù)。
本文關(guān)鍵詞：SRAM
上一篇文章：分享一款RISC-V低功耗BLE 5.3藍(lán)牙MCU/SoC
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC
