EM6KA32HVAFA動態(tài)隨機存儲器LPDDR2同步DRAM概述
 

EM6KA32H LPDDR2 SDRAM是一款高速CMOS動態(tài)隨機存取存儲器，總?cè)萘窟_268,435,456位。它采用雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)，數(shù)據(jù)傳輸效率大幅提升。DRAM核心設(shè)計亮點在于命令/地址(CA)總線僅需10個引腳，既能傳輸指令、地址信息，又能管理存儲體/行緩沖器，顯著減少系統(tǒng)I/O數(shù)量。這種精簡設(shè)計不僅降低了PCB布線復(fù)雜度，還為空間受限的設(shè)備提供了更多可能性。
 

在時鐘設(shè)計上，DRAM產(chǎn)品支持333/400/533 MHz頻率選項，搭配差分時鐘輸入CK/CK#，確保信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性和抗干擾能力。同時，通過DQ引腳的雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)，每個時鐘周期可傳輸兩位數(shù)據(jù)，內(nèi)部4n預(yù)取架構(gòu)進一步優(yōu)化了讀寫帶寬。無論是高清視頻緩存還是實時數(shù)據(jù)處理，DRAM EM6KA32H都能輕松應(yīng)對。

 

動態(tài)隨機存儲器LPDDR2同步DRAM(SDRAM)特征
 

①快速時鐘速率:333/400/533 MHz

②差分時鐘輸入CK/CK#

③符合JEDEC標準

④四位預(yù)取DDR架構(gòu)

⑤四個內(nèi)部存儲體，每個存儲體2M x 32位

⑥命令、地址的雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)和數(shù)據(jù)總線

⑦DRAM每字節(jié)數(shù)據(jù)的雙向/差分數(shù)據(jù)選通DQS/DQS#

⑧自動TCSR(溫度補償自刷新)

⑨自動刷新和自我刷新

⑩深度掉電

?4096個刷新周期/32毫秒

?電源:1.8V/1.2V/1.2V

?DRAM接口:HSUL_12

?工作溫度:TC=-25～85℃

本文關(guān)鍵詞：DRAM

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