二維（2D）半導體縮放技術(shù)曾憑借更低的成本，實現(xiàn)了更高的存儲密度與容量。然而，無論是SRAM還是DRAM，傳統(tǒng)的2D縮放都已步入尾聲。十余年來，DRAM的每字節(jié)成本一直停滯不前，這也是服務(wù)器規(guī)模擴大后，DRAM成本在系統(tǒng)成本中占據(jù)主導地位的原因。SRAM同樣面臨類似的瓶頸，我們已無法制造出尺寸更小的SRAM單元。
 
  對于SRAM而言，主要限制源于晶體管尺寸已接近原子尺度。制造公差限制了交叉耦合反相器對的晶體管匹配度，進而降低了信號裕度。不過，計算邏輯不受此問題的影響，因為各級電路均可恢復(fù)數(shù)字信號。對于DRAM而言，主要制約因素在于高長寬比電容器的蝕刻成本，以及確保低漏電流的復(fù)雜晶體管幾何結(jié)構(gòu)。更先進的制程節(jié)點雖能縮小DRAM單元的物理尺寸，但卻無法降低單個存儲單元的成本。我們雖可繼續(xù)制造容量更大的DRAM DIMM，但其每字節(jié)成本并不會下降。
 
  從這些限制中可以得出的主要結(jié)論是：海量存儲必然伴隨著高昂的成本。片上緩存的增長速度無法超越芯片面積的擴張，而現(xiàn)代服務(wù)器處理器已然十分龐大（AMD SP5達5,428mm²）。因此，系統(tǒng)必須更高效地利用存儲資源。


本文關(guān)鍵詞：SRAM,DRAM

上一篇文章：亞洲引領(lǐng)全球存儲格局變革

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。

英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。