ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。為汽車、通信、數(shù)字消費、以及工業(yè)和醫(yī)療等主要市場設計開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術翹楚。
 
IS61WV51216 SRAM芯片是一個8M容量，組織結構為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機存儲器。IS62WV51216高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準再加創(chuàng)新的電路設計技術，造就了這款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片選引腳和輸出使能引腳，可以簡單實現(xiàn)存儲器擴展。
 
這種高度可靠的工藝與包括ECC（SEC-DED：單糾錯-雙糾錯）在內(nèi)的創(chuàng)新電路設計技術相結合，可產(chǎn)生高性能和高度可靠的設備。通過使用芯片使能和輸出使能輸入提供輕松的內(nèi)存擴展。有效的低寫入使能(WE#)控制存儲器的寫入和讀取。采用標準44引腳TSOP(TYPEII)封裝。

本文關鍵詞：SRAM,IS65WV51216EBLL

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