MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/寫時(shí)序，具有無(wú)限的耐用性。數(shù)據(jù)在超過(guò)20年的時(shí)間里始終是非易失性的。數(shù)據(jù)通過(guò)低壓抑制電路在斷電時(shí)自動(dòng)保護(hù)，以防止電壓超出規(guī)格的寫入。MR0D08BMA45R是必須快速永久存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用的理想內(nèi)存解決方案。
 
MR0D08BMA45R采用小尺寸8mmx8mm、48引腳球柵陣列(BGA)封裝，在廣泛的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品提供商業(yè)溫度（0至+70℃）。此款MRAM存儲(chǔ)器可取代系統(tǒng)中的FLASH、SRAM、EEPROM和BBSRAM，實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單、更高效的設(shè)計(jì)。通過(guò)更換電池供電的SRAM提高可靠性。
 
特征
+3.3伏電源
•I/O電壓范圍支持+1.65至+3.6伏寬接口
•45ns的快速讀/寫周期
•SRAM兼容時(shí)序
•無(wú)限讀寫耐力
•數(shù)據(jù)在溫度下超過(guò)20年始終非易失性
•符合RoHS的小尺寸BGA封裝
 
Everspin Technologies, Inc是設(shè)計(jì)制造和商業(yè)化分立和MRAM和STT-MRAM進(jìn)入數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用程序的市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域的翹楚。完整性、低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin非易失性存儲(chǔ)MRAM在數(shù)據(jù)中心、云存儲(chǔ)、能源、工業(yè)、汽車和交通運(yùn)輸市場(chǎng)，建立了世界上最強(qiáng)大和增長(zhǎng)最快的 MRAM 用戶基礎(chǔ)。  


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