SRAM是具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM雖然速度較快，不需要刷新的動作，但是也有缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存?，F(xiàn)將它的特點歸納如下：
•優(yōu)點，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。
•缺點，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。
 
本篇文章主要介紹一款1Mbit存儲國產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16VM-55I
 
偉凌創(chuàng)芯EMI501NL16VM-55I采用的是EMl先進的全CMOS工藝技術(shù)制造，位寬64Kx 16位，電源電壓為2.7V~3.6V，支持三態(tài)輸出和TTL兼容和工業(yè)溫度范圍和芯片級封裝，以實現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計的用戶靈活性。還支持低數(shù)據(jù)保持電壓，以實現(xiàn)低數(shù)據(jù)保持電流的電池備份操作。封裝采用標準的44TSOP2。
 
異步低功耗SRAM通常具有較低的訪問速度，Taa在55ns或70ns。這類SRAM將功耗，特別是待機電流(Isb1, Isb2)降到了最低，以滿足移動設(shè)備的要求。典型的Icc可以達到1mA且Isb1/Isb2降到1uA的水平。這類存儲器在消費電子、、POS、打印機、手機、汽車醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

1Mbit存儲國產(chǎn)SRAM芯片系列

Part Number	Density	Org.	VCC	Access Times	Temp.	Package
EMI501HB08PM45I	1Mbit	128Kx8bit	4.5V~5.5V	45ns	-40~85℃	32SOP
EMI501HB08PM-55I	1Mbit	128Kx8bit	4.5V~5.5V	55ns	-40~85℃	32SOP
EMI501NL16VM-55I	1Mbit	64Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	44TSOP2
EMI501NL16LM-55I	1Mbit	64Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	48BGA

本文關(guān)鍵詞：EMI501NL16VM-55I,SRAM,國產(chǎn)SRAM

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