中國(guó)四大重要集成電路產(chǎn)業(yè)聚落持續(xù)擴(kuò)充對(duì)晶圓廠的投資布局，預(yù)計(jì)新廠產(chǎn)能將會(huì)在2018年底不斷開(kāi)出。拓墣產(chǎn)業(yè)研究院認(rèn)為，2018年底中國(guó)廠商的12寸晶圓每月總產(chǎn)能將達(dá)36．2萬(wàn)片，是現(xiàn)在產(chǎn)能的1.8倍，到時(shí)中國(guó)廠商產(chǎn)能占全球12吋晶圓產(chǎn)能比重將上升到6．3％。
      在非存儲(chǔ)器（晶圓代工／IDM） 12吋晶圓產(chǎn)能部分，現(xiàn)在主要有4家中國(guó)廠釋出新增產(chǎn)能的訊息。
    （1）中芯于上海規(guī)劃新增月產(chǎn)能7萬(wàn)片的14～7nm產(chǎn)能，深圳新增4萬(wàn)片的65～55nm產(chǎn)能。
    （2）華力微于上海規(guī)劃新增4萬(wàn)片的28～14nm產(chǎn)能。
    （3）德科瑪在淮安規(guī)劃2萬(wàn)片CIS產(chǎn)能。
    （4）紫光計(jì)劃在成都興建12寸廠。
     由于自28nm制程起始，晶圓廠必須使用難度較高的多重曝光技術(shù)（Multiple Patterning），是先進(jìn)制程的基本條件，連帶牽動(dòng)先進(jìn)制程（28nm以下）的發(fā)展進(jìn)程，2016年底中芯28nm營(yíng)收占比僅有3．5％，顯示其制程良率的控制能力穩(wěn)定性依舊不足，將會(huì)影響28nm以下制程進(jìn)度，2018年底中芯14nm非常有可能會(huì)處于試產(chǎn)狀態(tài)。
      而華力微新廠在2016年底動(dòng)工，所以就算發(fā)展順利，也要2018下半年才能夠進(jìn)入試產(chǎn)。而紫光雖透露出興建12寸廠消息，但還沒(méi)有詳細(xì)動(dòng)工時(shí)間，估計(jì)2018年尚不會(huì)有產(chǎn)能釋出。
                                                      

       因此2018年中國(guó)企業(yè)規(guī)劃的新增產(chǎn)能目標(biāo)將可能難以實(shí)現(xiàn)，預(yù)期下修到7.2萬(wàn)片，其中中國(guó)廠商的先進(jìn)制程（28nm含以下）產(chǎn)能約1．2萬(wàn)片，占新增產(chǎn)能近17％，預(yù)計(jì)2018年中國(guó)自主非存儲(chǔ)器產(chǎn)能將占全球非存儲(chǔ)器產(chǎn)能比重約6．7％。
      存儲(chǔ)器部分，共有4座新廠進(jìn)行投產(chǎn)。
    （1）晉華以25nm制程為目標(biāo)計(jì)劃12萬(wàn)片DRAM產(chǎn)能。
    （2）長(zhǎng)江存儲(chǔ)于武漢規(guī)劃新建3D NAND晶圓廠，預(yù)計(jì)于2020年達(dá)到月產(chǎn)能30萬(wàn)片。
    （3）長(zhǎng)鑫科技于合肥計(jì)劃月產(chǎn)能達(dá)12．5萬(wàn)片存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)能。
    （4）紫光將于南京建立月產(chǎn)能10萬(wàn)片的晶圓廠，主要生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。
      從晶圓廠開(kāi)工到進(jìn)行試產(chǎn)一般需要18個(gè)月的時(shí)間，實(shí)際量產(chǎn)時(shí)間則是各企業(yè)的技術(shù)能力及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)而定，除了紫光尚未釋出實(shí)際建廠進(jìn)度外，晉華在2016年底開(kāi)始動(dòng)土，2018下半年才有可能進(jìn)行試產(chǎn)，除此之外，25nm需用浸潤(rùn)式曝光機(jī)（ArF－immersion）和雙重曝光技術(shù)（Double Patterning），制程難度大大提高，將影響實(shí)際產(chǎn)能開(kāi)出的進(jìn)度。
    而長(zhǎng)鑫的新廠動(dòng)土?xí)r間計(jì)劃在2017下半年開(kāi)始，估計(jì)2018年底尚不會(huì)有產(chǎn)能開(kāi)出。
    長(zhǎng)江存儲(chǔ)則正計(jì)劃發(fā)展32層垂直堆疊的3D－NAND，估計(jì)2018年底將可問(wèn)世，估計(jì)總產(chǎn)能將達(dá)到約50000片。
    因此2018年中國(guó)廠商規(guī)劃的新增產(chǎn)能或?qū)㈦y以達(dá)成，預(yù)期下修至9萬(wàn)片，估計(jì)2018年中國(guó)自主存儲(chǔ)器產(chǎn)能將占全球存儲(chǔ)器產(chǎn)能比重約4．4％。

---

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。

      英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。