全球領先的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)非易失性解決方案開發(fā)商已將其256Kbit MRAM設計到其創(chuàng)新型Lucid的主動力系統(tǒng)中空氣全電動豪華轎車。
 
MR25H256AMDF MRAM器件專為汽車應用而設計，符合AEC-Q100 1級標準，可用于要求關鍵數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)具有極高可靠性的苛刻存儲器應用。Everspin認為，在Lucid Air中采用其MRAM技術——它為電動汽車提供了新的里程、效率和功率基準——是對持久性、非易失性存儲器價值的強烈認可，它沒有傳統(tǒng)的磨損與替代內(nèi)存技術相關的問題。
 
Everspin MRAM產(chǎn)品具有極高的耐用性、20年的數(shù)據(jù)保留期和滿足這個高速增長市場需求所需的寬工作溫度范圍等優(yōu)點，因此已在整個行業(yè)的汽車應用中得到應用。Everspin代理英尚微電子支持提供產(chǎn)品相關技術及應用解決方案。
 
關于Everspin技術
Everspin Technologies,Inc.是全球領先的磁阻RAM(MRAM)供應商。Everspin MRAM為汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心和其他對數(shù)據(jù)持久性至關重要的任務關鍵型應用提供業(yè)界最強大、性能最高的非易失性存儲器。

MR25H256A系列

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray	MOQ / Tray	MOQ / T&R
256Kb	32Kx8	MR25H256APDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 3	570	1140	4000
256Kb	32Kx8	MR25H256APDF	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 3	570	1140	4000
256Kb	32Kx8	MR25H256AMDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	1140	4000
256Kb	32Kx8	MR25H256AMDF	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	1140	4000
256Kb	32Kx8	MR25H256ACDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1140	4000
256Kb	32Kx8	MR25H256ACDF	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1140	4000

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本文關鍵詞： MRAM   

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