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Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。

ISSI 是Integrated Silicon Solution, Inc.縮寫。1988年成立，專門設計、開發(fā)、銷售高性能存儲SRAM半導體產(chǎn)品，用于Internet存儲器件、網(wǎng)絡設備、遠程通訊和移動通訊設備、計算機外設等。
公司的客戶都是一些電子工業(yè)巨頭，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是國際化大公司，公司總部設在美國加州Santa Clara，在美國、歐洲擁有分公司，在臺灣有合資企業(yè)，在中國香港設有子公司，銷售辦事處分布在美國、歐洲、香港、中國、臺灣、日本。ISSI 用0.25微米工藝技術生產(chǎn)最新進的SRAM產(chǎn)品，產(chǎn)品都是由代工服務商代為生產(chǎn)，臺灣的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

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4Gb	X8	IS34ML04G081	3.3V	1-bit	25	-40°C~85°C	48-TSOP	暫無
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